Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр JEOL JPS-9010MX

РФЭС1

 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) — количественный спектроскопический метод исследования элементного состава, эмпирической формулы, химического и электронного состояния атомов, присутствующих в материале. Он основан на явлении внешнего фотоэффекта. Спектры РФЭС получают облучением материала пучком рентгеновских лучей с регистрацией зависимости количества испускаемых электронов от их кинетической энергии. Исследуемые электроны испускаются верхним слоем исследуемого материала толщиной 1-10 нанометров. РФЭС проводится в сверхвысоком вакууме.

Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр Jeol JPS 9010 (Япония) позволяет проводить анализ элементного (химического) состава поверхности и по глубине поверхностного слоя материалов деталей на различных этапах (технологиях) их изготовления, а также после длительной эксплуатации (воздействия температуры, окислительной среды, нагрузки). Данный спектрометр эффективно используется для контроля технологических параметров и режимов нанесения наноструктурных покрытий на поверхность деталей, а также для оценки их эксплуатационных характеристик.specsurf

Основные характеристики оборудования:

  • Чувствительность и разрешение на фотоэлектронном пике Ag3d5/2 при возбуждении 300 Вт MgKα:  540000 имп/сек с разрешением 0,90 (эВ); 1800000 имп/сек с разрешением 1,15 (эВ); 5000000 имп/сек с разрешением 1,80 (эВ);
  • Давление в камере анализа не выше 7х10-8 Па;
  • Камера анализа оборудована ионным насосом с производительностью 200 л/сек и сублимационным насосом с производительностью 160 л/сек;
  •  Камера подготовки оборудована турбомолекулярным насосом производительностью 260 л/сек.
  • Ускоряющее напряжение ренгеновского источника  изменятся в диапазоне 0 – 12 кВ; ток эмиссии источников — в диапазоне 0 – 50мА;
  • Диапазон сканирования энергий 0 – 1480 эВ;
  • Пушка для ионного травления формирущая поток ионов с энергией от 300эВ  до 1500 эВ; диаметр ионного пучка не менее 10 мм; плотность тока ионного пучка не менее 1 мА/см2.
  • Размеры  исследуемого образца 10 х 10 х 5 (толщина) мм.;
  • Столик обеспечивает диапазон перемещений: 50 мм по оси X; 6 мм по оси Y; 5 мм по оси Z; наклон образца в диапазоне углов от -30º до +90º.
  • Устройство ионной очистки образцов Plasma Cleaner

Описание метода в Википедии